铠侠推出BiCS8 FLASH 2Tb QLC闪存：单个封装堆叠16个芯片，提供4TB容量

铠侠（Kioxia）宣布，推出基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四级单元）闪存，目前已开始送样。其拥有业界最大的2Tb（256GB）容量，将存储器容量提升到一个新的水平，将推动人工智能（AI）在内的多个应用领域的增长。

铠侠表示，BiCS8 FLASH 2Tb QLC NAND闪存基于其最新的技术，通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。铠侠引入了与西部数据合作开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆都是在其最优状态下单独制造的，然后粘合在一起，提供了增强的位密度和业界领先的NAND I/O接口速度（3.6Gbps）。

相比于第五代BiCS FLASH QLC闪存产品，这次第八代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存的位密度提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，可提供4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。也就是说，只需要一颗NAND闪存芯片，容量就能达到4TB，单面M.2 SSD配备2颗就能组成8TB。

除了2Tb QLC闪存外，铠侠还带来了性能更强的1Tb QLC闪存。铠侠称，1Tb QLC闪存的顺序写入性能在2Tb QLC闪存基础上再提升了约30%，读取延迟降低了约15%，更适用于高性能领域，包括客户端SSD和移动设备。