研究人员使用NVIDIA Omniverse平台，分析和改进3D堆叠芯片设计

现在芯片设计和制造变得越来越复杂，其中一个趋势就是采用新的3D堆叠技术，从而将芯片密度提升到传统制造方法无法实现的水平。最近英伟达的Baskar Rajagopalan在一篇官方博客文章中，介绍了工程模拟和3D设计软件公司Ansys使用NVIDIA Omniverse平台，分析3D半导体设计并预测功耗曲线。

这项技术对于芯片设计人员来说非常有利，可以在3D视角查看3D芯片设计，让工程师更好地了解芯片在各种条件下的表现。英伟达也举出了一个例子，通过这种方法可以更快、更轻松地发现热点并纠正电磁问题。

检查热点是3D芯片设计中重要的一环，这些热点不可避免地出现在两个堆叠在一起的硅片之间。利用3D视角查看3D芯片设计，可以让工程师检测到热点发生的确切深度。相比之下，如果在2D视角环境中，很难检测到热点，因为位置可能是从芯片顶部、中部或底部出现。此外，还能利用NVIDIA Omniverse平台模拟整个芯片的温度，以协助根据各种功率曲线和平面图进行热点检测，有助于制作第一个原型前，纠正新3D芯片设计中可能出现的任何热问题。

Ansys将在近期的设计自动化大会上亲自展示3D设计软件，并与NVIDIA Fourier neural operator（FNO）模型架构合作，创建AI生成工具，协助测试3D堆叠芯片设计。Ansys研究人员将创建了一个AI代理模型，以预测由传热系数、厚度和材料属性等系统参数定义的任何给定功率曲线的温度曲线。