英特尔称Intel 3工艺已进入大规模生产：面向数据中心产品的制程节点

在2021年7月的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）公布了“四年五个制程节点”的工艺路线图，驱动英特尔到2025年乃至更远的新产品开发。其中第三个制程节点便是Intel 3，凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，相比Intel 4在每瓦性能上实现约18%的提升，密度上也有10%的改进。

据TomsHardware报道，英特尔已确认，Intel 3工艺已经在两个工厂进入大批量生产阶段，包括美国俄勒冈州和爱尔兰的工厂，制造最近推出的至强6系列“Sierra Forest”和“Granite Rapids”处理器，主要面向数据中心产品。

英特尔还提供了Intel 3工艺的一些新细节，这是其最后一代采用FinFET晶体管技术的半导体工艺，带来了更强的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的超高性能应用电压。不但针对英特尔自己的产品，也针对代工客户，未来几年会不断发展。

除了基础版本外，英特尔还提供了Intel-3T、Intel-3E和Intel-3PT三个变体。其中Intel 3T通过TSV支持，可以用作基础芯片；Intel 3-E将为芯片组和存储应用提供功能增强；Intel 3-PT进一步提升了性能，并支持9μm间距TSV和混合键合，可以说是“终极FinFET工艺”。Intel 3还进入了210nm的高密度（HD）库，比起240nm高性能（HP）库的Intel 4工艺在晶体管性能上提供了更多选择。

此外，英特尔客户可以在三种金属堆栈之间进行选择：14层着重于成本；18层是性能和成本之间的最佳平衡；21层适用于高性能。