ASML瞄准下一代Hyper-NA EUV技术：2030年左右提供新的光刻设备

近年来，ASML站到了世界半导体技术的中心位置，成为了先进半导体生产供应链的关键一环。目前ASML有序地执行其路线图，在EUV之后是High-NA EUV技术，去年末已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。虽然业界才刚刚准备迈入High-NA EUV时代，但是ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案。

据EETimes报道，ASML公布了下一代Hyper-NA EUV技术路线图，目前仍处于开发的早期阶段。前ASML首席技术官Martin van den Brink在今年5月举行的imec ITF World的演讲中表示，从长远来说需要改进照明系统，必须采用Hyper-NA，同时还需要将所有系统的生产效率提升至每小时400到500片晶圆。

ASML计划在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻机，数值孔径将达到0.75。相比之下，High-NA EUV提供的数值孔径为0.55，EUV则是0.33，随着精度的进一步提高，可实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征。对ASML而言，未来Hyper-NA技术还将推动其整体EUV能力平台，以改善成本和交付周期。

Hyper-NA技术肯定会带来一些新的挑战，比如光刻胶，需要变得更薄。按照imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法，High-NA EUV应该可以覆盖2nm到1.4nm，再到1nm甚至0.7nm的制程节点。在那之后，Hyper-NA EUV将开始接管。

早在2022年接受媒体采访时，Martin van den Brink就表示，ASML进行Hyper-NA研究计划的主要目标是提出智能解决方案，使技术在成本和可制造性方面保持可控。不过Martin van den Brink担心制造和使用成本可能都会高得惊人，如果制造成本增长速度与当前High-NA EUV一样，那么经济层面几乎是不可行的。

不过Martin van den Brink去年再次谈到Hyper-NA技术，似乎收获了更多的信心，认为Hyper-NA技术无疑是一个机会，将成为2030年之后的新愿景。Hyper-NA EUV相比High-NA EUV上采用双重曝光的成本更低，同时也为DRAM带来了新机遇。