三星认为混合键合技术至关重要，是生产16层堆叠HBM产品的必备条件

三星直到12层垂直堆叠HBM产品，一直都在使用热压缩（TC）键合技术。不过随着HBM堆叠层数的增加，三星可能会选择改进工艺技术，以适应新一代HBM产品的生产需要。三星在之前的一篇采访文章中，再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。

据The Elec报道，三星计划生产的HBM4里，将分为12层及16层垂直堆叠两种，其中以16层垂直堆叠为主，打算在2026年量产。今年4月初，三星通过子公司Semes的混合键合设备生产了16层垂直堆叠的HBM4样品，且运行正常。三星认为，对于16层垂直堆叠及以上的HBM来说，混合键合技术至关重要。

随着堆叠层数的增加，需要缩小芯片之间的间隙，以满足JEDEC的规范要求，这非常具有挑战性。传闻JEDEC将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度限制在775微米，这意味着三星需要在这高度内放入17块芯片，包括一块基座芯片和16块存储芯片。目前三星使用的是TC NCF技术，需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。按照目前的情况来看，12层垂直堆叠里已经逼近极限，引入混合键合技术可以缩小芯片之间的间隙，满足16层垂直堆叠HBM产品的生产需要。

与三星不同，SK海力士采用的是MR-RUF技术，将半导体芯片附着在电路上，使用EMC（液态环氧树脂模塑料）填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。SK海力士计划2026年开始量产16层垂直堆叠的HBM4，目前正在研究采用MR-MUF和混合键合技术，但暂时良品率还不高。SK海力士认为混合键合技术有可能在不超过775微米的情况下，实现20层以上的堆叠。