在上个月21日举办的IFS Direct Connect活动中,英特尔分享了Intel 18A工艺之后的计划,公布了新的工艺路线图,新增了Intel 14A制程技术和数个专业节点的演化版本。与原来不同的是,英特尔打算在Intel 14A才引入High-NA EUV光刻技术,而不是Intel 18A。
据SeDaily报道,近日英特尔高级副总裁Anne Kelleher在SPIE 2024光学与光子学会议上透露,Intel 14A比Intel 18A工艺每瓦性能提升15%,而增强型的Intel 14A-E会在Intel 14A基础上带来额外5%的提升。与Intel 18A工艺相比,Intel 14A工艺的晶体管逻辑密度提高了20%。
按照英特尔的新计划,Intel 14A工艺最快会在2026年到来,而Intel 14A-E工艺则是2027年,不过至今英特尔都没有宣布任何基于Intel 14A和Intel 14A-E工艺的产品。虽然英特尔在晶圆代工领域视台积电(TSMC)为竞争对手,不过目前来看,其客户端处理器越来越多的模块交由台积电制造,可能还包括最为核心的计算模块。
英特尔在去年6月的“代工模式投资者网络研讨会”上,介绍了内部晶圆代工业务模式的转变,从2024年第一季度开始将设计与制造业务分离,内部设计部门与制造业务部门之间将建立起“客户-供应商”的关系,后者将单独运营,且财报独立。英特尔希望在2030年之前超越三星,成为晶圆代工领域的第二大厂商。
XSLG高中生 03-12 15:46 | 加入黑名单
那惨了,规定了TPP指标(Total Processing Performance),即2×峰值算力MacTOPS×位宽bits;规定了PD指标(Performance Density),即TPP指标除以芯片面积(按平方毫米mm2计算),所述芯片面积包括逻辑运算芯片所占的所有面积,也包括使用非平面晶体管架构工艺节点制造的逻辑芯片,禁止卖给中国
支持(2) | 反对(0) | 举报 | 回复
1#
提示:本页有 1 个评论因未通过审核而被隐藏