三星和SK海力士加快3D DRAM商业化进程，全新结构存储芯片将打破原有模式

三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列行业前两名，传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程，以改变存储器行业的游戏规则。其实DRAM行业里排名第三的美光，自2019年以来就开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍。

据Business Korea报道，有行业人士透露，三星和SK海力士的高管在最近的一些官方活动上，都将3D DRAM作为克服DRAM物理极限的一种方式。三星表示，3D DRAM是半导体行业未来的增长动力。SK海力士则认为，大概在明年，关于3D DRAM的电气特性细节将被公开，从而决定其发展方向。

3D DRAM是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式。目前DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此业界通过引入high-k材料和极紫外（EUV）设备等新材料和新设备。不过对于各个DRAM制造商而言，想要制造10nm或更先进的小型芯片仍然是一个巨大的挑战。

与当前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，且专利数更多，三星和SK海力士可能会加快3D DRAM商业化进程，尽快地进入大规模生产阶段，以便更早地抢占市场。

目前三星和SK海力士能量产的最尖端DRAM采用的大概为12nm的工艺，考虑到越来越接近10nm，在未来的三到四年内，全新结构的DRAM芯片商业化几乎是一种必然，而不是选择。