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日前，GlobalFoundries在日本东京举行的"2009 Symposium on VLSI技术大会"上，展示了一项与IBM共同研发的新技术，该技术能够解决在22nm工艺中遇到的一个难题。
据介绍，该技术能够把HKMG（High-K metal gate）晶体管内的EOT（equivalent oxide thickness）按比例缩小而达到符合22nm工艺的要求，同时保持低渗出、低电压以及高灵活性的特点。
GlobalFoundries研究与开发技术部门的副总裁Gregg Bartlett表示“HKMG作为GlobalFoundries技术RoadMap中的关键部分，将为客户提高产品性能提供强有力的工具。尤其是在发展迅速的超便携式产品，例如Netbook、Smartphone等领域中，将能够大大增强电池续航能力。在与IBM的合作过程中，我们亦会运用全局知识及超前技术，让我们的客户带来处于半导体制造业中领先地位的尖端技术”。
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