更正：Radeon HD 4770供电设计实为3+1+1相

　　在《40nm开拓先锋，Radeon HD 4770全球首测》发布之初，我们一度认为Radeon HD 4770的供电部分为2+1相设计（被左边的DrMOS那相迷惑），在请教某知名显卡Power工程师后，确认Radeon HD 4770的供电为3+1+1相设计，特此更正。

　　Radeon HD 4770的供电设计为3+1+1相，其中3相为GPU供电（VDDC），1相为显存供电（MVDDC、MVDDQ），这两部分供电电路位于显卡右侧。显卡右侧上端那颗电感附近为显存一相供电回路，下端的那三颗电感附近为GPU供电的三相回路。另外一相为核心I/O供电（VDDCI），位于显卡左侧。

为GPU供电的PWM芯片

　　为GPU供电的三相回路，控制芯片为位于PCB背面的ST（意法半导体）L6788A，它只有6*6mm大小，可管理1-3相供电，并内建驱动IC。每相回路由1个半封闭的电感和2个传统D-PAK封装的英飞凌MOSFET组成，输入输出电容均为香港万裕X-CON ULR系列的固态铝壳电容，而非以前常用的日系品牌。类似PWM芯片曾在Radeon HD 4850公版上见过。

　　显存供电回路中PWM芯片为UPi（台湾力智）的uP6101BU8，也位于PCB背面，在HD 4850是也曾经用过类似的控制芯片。

　　从PCB上可以看到大量的空焊位置，为MOSFET和电容等预留了不少空位，似乎暗示着RV740会有更高阶的版本，也许将来会有800SP版本的40nm制程GPU也会采用此PCB设计。

RENESAS(瑞萨)出品的R2J20602整合了MOSFET和驱动IC

　　在PCB左端，还有一相供电回路，控制芯片为RENESAS(瑞萨)出品的R2J20602，采用QFN56封装，其实它是兼容英特尔DrMOS（Driver-MOSFET）标准的，整合了上下端MOSFET和驱动IC，这也是为什么它的面积达到8*8mm相对较大的原因。

　　和以前显卡不同的是，这颗DrMOS构成的供电电路是专为核心I/O服务的，在以前，核心I/O部分的供电是直接从核心供电中获取的，现在由于漏电或其它原因将这部分供电单独分离出来，这种设计在RV790中就已出现过。