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在本月初韩国半导体芯片制造厂商Hynix（海力士）发布了首款54nm工艺的2GB移动DRAM。日前，Elpida（尔必达）也宣告2GB移动DRAM研制成功，而且工艺为更先进的50nm。
Elpida的50nm移动DRAM采用其铜互连技术以及193nm（ArF）浸入式光刻技术制作。具有超低功耗和高频率的特点。新产品通过优化MCP封装以及PoP封装等技术，满足了高容量和小体积的存储设备需求。采用基于DDR的x32-bit I/O，频率为200MHz，传输速度可达1.6GB/s，符合JEDEC标准1.8V，而且还支持1.2V工作电压以达到更低功耗。
据称，这款50nm的2GB移动DRAM将会在明年上半年投入量产。