只需1.2V电压，Elpida完成50nm制程DDR3开发

　　昨天，日本全球领先的DRAM供应商尔必达（Elpida）宣布已经完成50nm制程的DDR3内存开发。新的DRAM产品具有低功耗、2.5Gbps超高速和1.2V低电压的特点，并具有业界最小的芯片尺寸。

　　50nm制程的DDR3 SDRAM的开发利用业界最先进的193nm（ARF）的沉浸光刻和铜互连技术，芯片尺寸小于40平方毫米。此外，新的SDRAM是一种环保型的DRAM，DDR3的标准电压为1.5V，新的DDR3电压可以低到1.35V甚至1.2V，有助于低功耗运行在高密度存储器系统，如服务器和数据中心。

　　新的50nm制程DDR3内存特点：

　　数据传输率：800Mbps、1066Mbps、1333Mbps、1600Mbps、1866Mbps、2133Mbps和2500Mbps
　　操作电压：1.2V、1.35V、1.5V
　　低功耗：相比于70nm的DRAM最多减少50%

　　新的DDR3内存将首先应用在高端台式电脑，其他地方有可能在笔记本电脑和服务器设备。大规模生产50nm制程DDR3 SDRAM会从明年Q1开始。

　　同时尔必达还在积极开发50nm工艺的高端数字消费电子产品和移动内存。