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今天，日本DRAM半导体芯片制造厂商Elpida（尔必达）发布公告称，其50nm制程的DDR3内存颗粒已经研制完成。
50nm制程的DDR3内存颗粒能够在更低的电压下达到更高的传输速度，功耗也降低不少，其基本电压为1.2V，速度为2.5Gbps。该50nm制程的DDR3颗粒采用了其铜互连技术，以及业界最先进的193nm（ArF）浸入式光刻技术制作。芯片面积小于40mm2，工作电压可设定为1.2V、1.35V或1.5V，频率最高可达到2500MHz。
Elpida将会在2009年第一季度大规模生产50nm制程的DDR3内存颗粒。
