Intel 45nm Wolfdale E8400处理器首测

Wolfdale新特性：45nm制程、更大的L2 Cache

　　45nm制程：

　　现时半导体制程工艺通常以nm（纳米）做为度量单位，其实际上是指集成电路中晶体管之间的连接线宽。连接线宽越短，单位面积的晶片上所能够容纳晶体管数量也就越多，其效能及功能亦将随之增强。

　　多年来Intel一直在奉行制程更新与处理器架构体系改变的交叉更替，以确保在制程没有改变的情况下可以借由处理器体系架构的更新来提升产品性能，又或是处理器架构没有改变的情况下借由制程的更新来提升产品性能。就这样，我们从Westwood核心到130nm再从90nm到Netburst，然后是65nm到Conroe、kentsfield，然后再将在Conroe、Kentsfield上过渡到45nm工艺上。

　　新的45nm生产工艺将可以大大提升核心电子管的数量，同时可以提升速度达20%，并且热量可以降低30%。以E8400为例，核心面积只有107平方毫米，而65nm制程E6850为143平方。不过，晶体管数量上E8400为4亿1000万而E6850为2亿9100万，E8400的二级缓存为6MB而E6850为4MB，正是借助于45nm制程Intel才能做到在晶体管数量大幅增加的情况下缩小核心面积。

　　当然，越来越难控制的晶体管发热量以及电流泄漏是始终不容忽视的，因此Intel公司亦于45nm Penryn家族处理器中尝试新材料的使用。

　　在英特尔的45nm工艺中，采用了铪基High-K（高K）栅电介质+Metal Gate（金属栅）电极叠层技术。High-k栅介质与Metal Gate栅极的引入能够使得晶体管漏电率较之传统材料降低10倍以上，与65nm制程工艺相比能够在相同耗能下提升20%的时钟频率亦或是在相同时钟频率下拥有更低的耗能。

　　二级缓存：

　　新的45nm工艺的使得Intel公司的工程师能够在处理器核心内部放入更多的电子管。在此之前65nm双核心Conroe处理器共享二级缓存的容量为4M，而新款45nmWolfdale处理器却可以拥有6M的二级缓存。

　　新的四核心Wolfdale处理器将会拥有12M的二级缓存，每个核心拥有6M。

　　45nm处理器除了二级缓存容量高出50%以外，二级缓存为24-way而前一代处理器为16-way二级缓存。按照Intel的说法，结果会使得新处理器的缓存更有效率，数据传输速度也更快。

　　新款处理器的二级缓存除了容量更大以外，还将会支持一项名为“enhanced cache line split load ”的新功能。