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    ◆ 东翎 Radeon HD3850显卡细节部份(一)

    东翎 Radeon HD3850显卡基于最新的RV670芯片,采用55nm工艺生产,晶体管数量为6.66亿个,内置320个流处理器单元,并拥有16个纹理单元和16个Render Back-Ends。

    东翎 Radeon HD3850显卡的RV670芯片,芯片是2007年第四十一周生产,封装地点台湾省。

    散热器覆盖了显卡上的主要发热部分,最右边部份还用了针柱型设计,以增加散热面积,整体上的散热效能有所保证。

    供电模块部份特写,用了固态钽电容、贴片式固态电容以及屏蔽式电感,并且可以看到电容上都有代表ATi原厂严格品质QC的蓝色水笔印。

      RV670由于使用了55nm工艺,功耗比起使用65nm工艺的RV630还要低,仅为95W,功耗的下降不但能减低供电模块的压力,还无需像R600的供电模块那样使用夸张的用料去辅助。从上图可以看到东翎 Radeon HD3850的供电模块布局以及用料都和HD2600XT的非常相似。

    显存方面,采用了三星的GDDR3 1.1ns显存颗粒,编号为K4J5532301-BJ11,一共8颗8Mx32bit显存颗粒组成256MB/256bit的显存规格。

      东翎 Radeon HD3850预设的显存频率为1658MHz,而1.1ns显存的理论频率是1800MHz,预留了一定的超频空间让用户自行超频发挥。

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