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NEC电子今天发布了用以生产40纳米eDRAM的新技术。这种40纳米的eDRAM的设计是配合SoC（system-on-chip）芯片使用的。NEC表示，这种eDRAM最适合用在消费型的电子产品上，如相机，摄像机，游戏机等产品。
这种40纳米的eRAM被称为UX8GD eDRAM，频率可以达到800MHz。但是在达到高频的时候消耗的电力相当少，和目前普遍使用的SRAM相比，只有三分之一。目前NEC已经可以生产这种40纳米的eDRAM的256Mb颗粒。整个Cell的大小只有0.06平方微米，比起NEC的55纳米UX7LSeD eDRAM体积小了50%。
NEC的55纳米eDRAM在今年10月才正式出货，所以公司决定40纳米的eDRAM将会在本财年结束前才开始试生产。（NEC本财年直到08年的3月31日才结束）。
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在没有eDRAM的状态下，芯片要和外部的RAM交流有着明显的带宽限制。
可以在芯片内装上eDRAM,带宽增加的同时，功耗减少了。