◆ 前言（Introduction）
军威是今年才兴起的一个PC电源品牌，其电源产品以军事化风格为特色。军威电源从一开始就宣传其产品由台系大厂CWT（Channel Well Technology Co.侨威）所代工，这与以往的电源品牌把代工方作为商业机密有很大的不同。
军威的电源产品都以著名军事领袖命名，我们这次拿到的产品是军威巴顿850W。巴顿将军是美国陆军四星上将，是第二次世界大战中著名的军事统帅，电源以巴顿将军来命名，一方面可以看出军威重视电源产品的品质，另外一方面也可以说明军威对其产品充满信心。
军威巴顿850W
巴顿850W在军威整条产品线中的定位是在于主流中阶段的用户，往上有最高端的艾森豪威尔系列，往下有面对主流用户的隆美尔系列，但小编认为意见领袖使用巴顿850W也完全没有问题，毕竟巴顿采用的PUQ-G已经是很高端的方案。
军威巴顿850W在军威产品中的定位
军威巴顿850W规格
◆ 包装、外观及附件（Packaging , Exterior & Attachment）
军威巴顿850W的包装有很强烈的金属风格，在之前发布的图赏我们说过巴顿的英文拼写应该是Patton，但这里使用了Barton，这是否是厂商有意为之（商标侵权神马的）。老玩家们应该还记得当年AMD也有一款经典的CPU，代号为Barton，而那款CPU同样也被称之为“巴顿将军”。
军威巴顿850W包装正面
军威巴顿850W包装背面
军威巴顿850W包装正面细节
军威巴顿850W包装正面细节
军威巴顿850W包装背面细节
军威巴顿850W包装背面细节
开箱，说明书、电源、附件摆放得很整齐
军威巴顿850W由一个发泡袋和珍珠棉包裹
军威巴顿850W配件
军威巴顿850W使用了喷砂的外壳，整体手感比较细腻，但不容易留下指纹。
军威巴顿850W电源主体
巴顿850W使用的是半模组接线设计，原生接线有24Pin、显卡PCIe6+2和8Pin、ATX 12V 8Pin，其他线材都需要接在模组接口。小编认为SATA接头也可以在原生接线里分出来，毕竟每一个平台都需要接上硬盘。
军威巴顿850W模组化接口
巴顿850W使用14cm的大风扇，使用大风车设计是哪一家电源厂带的头已经无从考究，高端电源使用13.5或者14cm规格的风扇越来越常见，而目前13.5cm和14cm这两种规格还一直并存。
军威巴顿850W风扇
有网友曾经对通风孔的设计提出疑问，认为AC开关和插座下方的这一块金属也应该一并冲孔，但对于一个效率达到80Plus金牌的电源来说，其损耗热量已经比较小，电源内部的散热片主要集中在一次侧，呈喇叭状的风道在出风口处速度会加快，军威巴顿850W把出风口的缩小并且对着一次侧散热片，可以提高散热片的换热效率。
军威巴顿850W AC接口、开关及排气孔
巴顿850W使用了特制的内六角螺丝固定，这给拆卸带来一点麻烦。
军威巴顿850W内六角螺丝
巴顿850W的电源标签，+12V为单路输出，额定值70A/840W，而+5V和3.3V则可以分别输出20A，额定联合输出100W。标签里所写的最大值和我们平时所说的额定值是一回事。而在电源标签的左下角，明确指出这一款产品由侨威CWT代工。
军威巴顿850W电源标签
◆ 电路解析（Internal Design & Build Quality）
军威巴顿850W风扇
散热风扇来自悦伦D14BH-12，14025规格，双滚珠轴承，额定电流0.70A，最高转速2800rpm，最高风量140CFM。
军威巴顿使用的是侨威的PUQ-G方案，为主动PFC+双管正激+同步整流+DC-DC结构，这个方案的上一版本在海盗船的TXM上使用过，改进过后的PUQ在用料上有比较大的弹性，采用不同用料可以订制出铜牌和金牌等不同的版本，最近推出的海盗船GS V2、安耐美的GX、赤焰金魔都是基于这一方案。
巴顿850W还是传统的布局，一次侧的PFC散热片和PWM散热片各用了一片顶部没有鳍片的铝合金板，二次侧整流部分没有采用散热片是这个电源的亮点。巴顿850W内部所有的散热片也采用了阳极化着色为浅绿色以体现“军事”主题。
军威巴顿850W内部结构（点击可查看大图）
PCB背板使用了大量敷锡增流，加强散热。工艺属于中等偏上水平，接线部分有较多的人工补焊。
军威巴顿850W（点击可查看大图）
具体电路和元器件的分析我们由EMI部分开始，从一次侧绕一圈到二次侧输出，最后再看一下PCB背板的元件。
巴顿850W AC插座的输入端焊接了两个Y电容以过滤共模干扰，L和N线使用插座接到主PCB上，这对于经常做拆解的编辑来说是非常好的设计。
军威巴顿850W AC插座上的EMI部分
EMI滤波器（瞬变滤波电路），是市电进入电源之后的首先经过的电路，其主要作用一个是阻碍电网到电源以及电源到电网的干扰，一个是抑制突波。主PCB板上的EMI部分，从右往左分别是保险管、MOV、X电容、共模电感、一对Y电容、X电容、共模电感，NTC热敏电阻和继电器位于PFC开关管旁边，我们稍后介绍。
军威巴顿850W EMI电路
巴顿850W使用了2个光宝GBU806（8A/600V）整流桥并联使用以降低每个整流桥的正向压降，提高电源的效率，两个整流桥都涂有硅脂并且安装了散热片。
军威巴顿850W 整流桥
PFC升压电感使用了一个40mm直径的铁硅铝磁环，外部包裹绝缘塑料。PFC电感旁边竖着主控子板，侨威近期的作品都是在这个位置树立主控子板。
军威巴顿850W PFC电感
Champion CM6802TAHX主控，集成PFC和PWM控制器。
军威巴顿850W主控 Champion CM6802TAHX
绿皮的NTC热敏电阻和蓝色的继电器位于PFC电感和主电容之间。NTC热敏电阻具有常温下高电阻、高温下阻值迅速减小的性质。刚通电的时候呈高阻值，限制大电容充电造成的冲击电流，在电源正常工作时随着电阻发热，阻值下降到很低，减少对电路工作的影响。
蓝色的方块为继电器，我们以前说过，对于追求效率的电源来说，NTC热敏电阻几瓦的损耗始终会降低电源的转换效率，而且对于关机后在短时间内再次开机的情况，处于高温下的NTC热敏电阻无法挥发其正常作用，所以这个地方需要一个继电器。
在开机前继电器断开，NTC热敏电阻处于接入电路的状态，完成开机后继电器接通，短路NTC热敏电阻，此时NTC热敏电阻不再工作，不再发热，第二次冷启动时NTC热敏电阻再以高阻态的形式工作，这一个设计减少损耗的同时也提高了电路的可靠性。在继电器工作时会有滴答的吸合声。
军威巴顿850W 继电器和NTC热敏电阻
主电容来自日本化工，KMR系列，470μF/400V/105℃，电容的容量对保持时间的影响我们将在后面进行测试。
军威巴顿850W主电容
PFC开关管采用英飞凌CoolMOS E6系列，型号IPW60R190E6，20.2A/650V/190mΩ，两颗并联使用。
军威巴顿850W PFC管
PFC升压二极管使用了一颗CREE的C3D06060碳化硅肖特基二极管，6A/600V。
碳化硅肖特基二极管相比传统使用的Ultrafast二极管，其反向恢复时间几乎为零，在减少自身开关损耗的同时减少整个主动PFC电路的损耗，对于提高电源效率都有帮助。
军威巴顿850W 升压二极管
两颗主开关管同样来自英飞凌，为CoolMOS C6系列，型号IPW60R099C6，38A/650V/99mΩ，与PFC使用的E6系列属于同一代产品。
军威巴顿850W主开关管
与主开关管共享散热片的还有一颗5VSB MOS，来自意法半导体，F3NK80Z，规格2.5A/800V。
军威巴顿850W 5VSB开关管
5VSB整流管来自DIODES，SBL 1040CTP，属于肖特基二极管，规格10A/40V。5VSB输出电流小，整流管发热不大，因此没有加散热片。
军威巴顿850W 5VSB整流管
同步整流子板无疑是这个电源最让人感兴趣的一部分，没有散热片，MOS关的损耗热量依靠PCB本身和PCB上焊接的铜棒进行散发。而电源本身的温度监控点也固定在同步整流子板上。
军威巴顿850W 同步整流子板
同步整流的子板上最多可以焊7颗TO-252封装的MOS管，3颗供整流用，4颗供续流用，这里焊了5颗英飞凌的MOS，型号为IPD031N06L3，100A/60V/3.1mΩ，2颗并联供整流用，3颗并联供续流用，这种用料是由于双管正激拓扑里续流管的导通时间比整流管要长一些，损耗也要多一些，故多并联一些以减少损耗。
军威巴顿850W 同步整流MOS
同步整流子板的另一面有两颗4.7Ω/0.5W的功率电阻，每个功率电阻和PCB背面的一颗小电容串联组成RC缓冲电路，并联在一组同步整流管上吸收开关动作导致的电压尖峰，以保证低耐压值的同步整流管可靠工作。而整流板这一面焊接了4根铜棒用于增流和辅助散热。
军威巴顿850W 同步整流子板上的金属条
+12V同步整流子板上的铜棒紧挨着主变压器，中间夹有带铜箔的绝缘板隔离屏蔽。
军威巴顿850W 同步整流子板上的功率电阻
+12V的输出储能电感同样由一个40mm的铁硅铝磁环绕制，其中还有辅助绕组以产生-12V电压。+12V输出滤波使用了4颗NCC的KZE 16V 2200μF电解电容。
军威巴顿850W +12V输出储能滤波
军威巴顿850W 主PCB接线处理细节 热缩管+金属箍
巴顿850W的5V\3.3V DC-DC模块化子板固定在外壳上面，这里没有把螺母焊死，拆卸比较轻松。
军威巴顿850W DC-DC模组化PCB的固定方式
军威巴顿850W DC-DC模组化PCB
5V和3.3V的DC-DC模块各使用了2颗富鼎先进的AP72T03GH，62A/30V/9mΩ，由台湾茂达的APW7159负责控制。
军威巴顿850W DC-DC模组化
军威巴顿850W DC-DC 主控IC 台湾茂达APW7159
DC-DC MOS来自富鼎先进AP72T03GH
DC-DC子板使用3颗470μF/16V的固态电容作为输入滤波，具体品牌未知。另外5V和3.3V还各有2颗1500μF/6.3V的固态电容和一个扼流圈。
军威巴顿850W DC-DC模组化PCB
接着我们看到主PCB背面，LM393L的运放配合正面的WT7502V保护IC提供OVP / UVP / SCP 保护。
军威巴顿850W PCB背面的LM393运放
5VSB to +5V技术也是巴顿的一个特点，一颗AP72T03GH的MOS漏极接了5VSB，源极接到+5V的输出焊盘。
我们认为这部分的设计意图是由5V DC-DC输出来提供5VSB输出，在5VSB高负载时减少有这一路产生的损耗
军威巴顿850W +5V to 5VSB电路
军威巴顿850W 的5VSB控制IC来自On-Bright OB5269CP
军威巴顿850W 外壳上对应DC-DC 扼流圈的位置也有铜箔屏蔽
用料规格（Specifications）
用料规格我们照样列出一个表以供查阅。
军威巴顿850W用料规格表
电源测试项目说明（Test Instructions）
我们的评测标准是基于Intel ATX12V 2.31和EPS12V 2.92电源设计指导书制定，并且参考了国内外友站的测试方法，我们更注重电源的实际应用，最终制定出这一套评测体系。
我们的电源测试项目最终整合为六个大项，共20个小项目，其中有一部分属于打分项目，也有不打分，留给用户自己评判的项目。
表格中打勾的项目代表本次测试涉及到的项目，没有打勾代表在本次测试不进行或者简化掉的项目。
军威巴顿850W 测试项目
装机应用（Application）
装机应用主要分为两个部分，分别是背部走线和带大功率显卡。
在我们首篇电源横评《三英战吕布？四款300元热门电源横评》里测得的数据表明，在一个中塔机箱内要完成背线需要满足“24Pin线材最少需要45cm以上，辅助供电的4Pin或者8Pin需要55cm以上”，我们当时展示的机箱是比较典型的NZXT H2，而对于尺寸更大的机箱，这个要求也相应应该提高；
巴顿850W的ATX 24Pin线长达到56cm，而8Pin CPU辅助供电则达到65cm，并且巴顿的线材都为扁平化设计，所以在中塔机箱内部走背线没有任何问题。
而带大功率显卡则需要满足“电源有2个甚至多个6+2Pin的PCIe供电接口且+12V输出功率能满足显卡满载需求”，巴顿850W具备6个8Pin PCIe供电接口，且+12V输出为单路设计，拉载单卡GTX580等电老虎没有问题，对于功耗较低需要2个6Pin或者8Pin的主流显卡，最多可以支持到3路显卡。
主流级平台功耗对比
◆ 输出质量与效率测试（Output Stability & Efficiency Test）
均衡负载测试说明
在静态测试项目中，每一款电源都按照下面的电流加载表对电源进行拉载（按输出瓦数而非电源输出的百分比），以输出不同功率来测试电源在不同状态下的性能指标，在所有静态输出项目中-12V和5VSB的电流都固定为0.2A。
在100W以内的测试，有30/50/75W三档输出，分别是模拟低功耗HTPC平台以及普通PC平台待机的情况，为了让输出值不跳出Intel规定的交叉负载范围而导致输出电压异常，12V/5V和3.3V以2：1：1的比例输出。
在100W以及100W以上的测试，+12V占输出总功率80%，扣去-12V和5VSB所占负载之后，剩余输出值由5V和3.3V平分。
对于输出功率大于500W的电源，大于500W部分的测试，5V和3.3V的输出值固定在500W档，提升的功率加载到+12V，这种方法符合大瓦数平台中的实际情况，我们知道能使用到大瓦数电源输出的无非是多路SLI/CrossFire显卡，这部分显卡消耗的是+12V电流输出。
军威巴顿850W加载电流表
按瓦数而不是按电源标签的百分比来拉载有一个好处就是不同的电源可以进行横向对比，例如我们有一套满载300W的平台，我们可以查阅A电源在输出300W时的性能表现（转换效率、纹波），同样也可以查阅B电源在输出300W时的性能表现。甚至850W和300W的电源也可以比较它们在同一配置的输出情况。
按照传统的测试方法（例如80PLUS的测试），只能测得每一款电源在不同比例负载下的效率，例如一款1000W的电源在50%负载时输出500W，而一款300W的电源在50%负载时的输出只有150W，但两款电源在这个时候的横向比较已经脱离了实际应用，只有做纯性能的比较。
按照我们的方法，任何一个电源在测试体系里都得到相同的对待，每一款电源都加载相同的负载进行测试，不会出现因为某一款电源偏重+12V，我们给它加载偏重+12V的负载，结果出转换效率偏高的现象。
均衡负载测试结果汇总
输出质量和效率主要在是均衡负责项目得以体现，我们把测试成绩汇总在一个表格，接着再进行每一项细化分析。均衡负载测试是在230Vac 50Hz的环境下测得。
军威巴顿850W 均衡负载测试结果汇总
转换效率（Efficiency Test）
转换效率的加载电流值同均衡负载，对于全电压的电源增加了一个115Vac下的效率测试。我们对电源输出分配的情况与80Plus不同，与80Plus没有可比性。
在75W以下，电源的整体效率都低于80%，可以看出这一款电源带ITX平台和超低功耗平台时效率并不高。
巴顿850W在输出功率达到75W以后整体效率都高于80%，而到了中档瓦数时，230Vac下的转换效率最高可以达到91.324%，115Vac环境下则是89.464%。230Vac满载时转换效率也超过90%，达到了90.161%，而115Vac的转换效率下跌得比较快，满载为85.410%
军威巴顿850W转换效率
待机效率测试（Standby Efficiently Test）
按Intel ATX12V 2.31规范中的推荐值，5Vsb在100mA/250mA/1A的负载下转换效率应该高于50%、60%、70%，待机空载小于1W。巴顿850W在待机效率的表现完全可以满足Intel ATX12V 2.31规范，整体表现不错。
军威巴顿850W 待机效率
电压稳定性（Voltage Stability Test）
电压偏离率：电压偏离率是指输出电压偏离额定电压的程度，计算公式为：（最大偏离电压-额定电压）/ 额定电压x100%，Intel ATX12V 2.3.1和EPS2.92规定-12V最大允许偏离率为10%，其他各路最大偏离率允许值为5%。
电压跌落率：电压跌落率是指输出过程中电压的变化率，计算公式为：（最大输出电压-最小输出电压）/ 额定电压x100%，同样-12V允许值在10%以内，其他各路的输出电压变化率最大允许值为5%。
均衡负载中的电压表现情况我们也使用图表表示。+12V的电压跌落为1.41%；+5V的电压几乎纹丝不动，只有0.04%的跌落；+3.3V的表现也属于优秀，只有0.33%的跌落。
军威巴顿850W +12V电压稳定性
军威巴顿850W +5V电压稳定性
军威巴顿850W +3.3V电压稳定性
满载纹波（Ripple and Noise Test）
纹波和噪声是电源直流输出里夹杂的交流成分，如果用示波器观察，就会看到电压上下轻微波动，像水波纹一样，所以称之为纹波。按照Intel ATX12V 2.3.1规定，+12V、+5V、+3.3V、-12V和+5VSB的输出纹波与噪声的Vp-p（峰-峰值）分别不得超过120mV、50mV、50mV、120mV和50mV。
我们使用数字示波器在20MHz模拟带宽下按照Intel规范给治具板测量点处并接去耦电容，对电源进行满载纹波的测量。示波器截图分为低频下和电源开关频率下的波形，低频下的纹波峰峰值作为打分基准，开关频率下的纹波波形及测量值作为参考。
军威巴顿850W +12V高频纹波 69.2mV
军威巴顿850W +12V低频纹波 81.6mV
军威巴顿850W +5V高频纹波 30.0mV
军威巴顿850W +5V低频纹波 32.0mV
军威巴顿850W +3.3V高频纹波 31.6mV
军威巴顿850W +3.3V低频纹波 29.2mV
通过测量+12V开关纹波，可以计算出巴顿850W的开关频率大约为59KHz。其中+12V的纹波达到81.6mV，有些偏大，但离上限还是有一段距离；+5V和+3.3的纹波为32.0mV和29.2mV，通过上面的拆解我们可以知道这部分没有特别优化，所以表现一般也在情理之中。
◆ 交叉负载与保持时间测试（Cross Loading & Hold-up TimeTest）
交叉负载测试（Cross Loading Test）
交叉负载测试项目我们按照Intel ATX12V 2.3和SSI EPS12V 2.92电源设计指导的要求，制定出850W电源的交叉负载图表。
值得注意的是，我们并非原封照搬Intel的设计规范，Intel规定了交叉负载框图里的8个测试点，我们只选择其中比较有实际意义的4个测试点，分别为Intel规定的交叉负载框里的左下、左上、右上和右下角四个点。
这四个点的意义分别为：
左下角（A点）：整机最小负载；
左上角（B点）：辅路最大负载、12V最小负载；
右上角（C点）：辅路最大负载、整机满载；
右下角（D点）：12V最大负载、辅路最小负载；
测试点的X坐标表示总的+12V的输出功率，Y坐标表示+5V和+3.3V的输出功率之和。
交叉负载的测试与前面的均匀负载测试的评判标准一致，除了-12V偏离率最大允许值在10%，其他各路最大偏离率允许值都为5%。
850W电源 交叉负载图
军威巴顿850W交叉负载电压表现
对于二次输出采用DC-DC的巴顿850W来说，这部分测试没有任何压力，每一路的电压偏离都在3%以内。
保持时间测试（Hold-up TimeTest）
掉电保持时间（Hold-up Time）是指电源掉电之后电压输出值跌出范围允许的5%的时间，我们测量的是+12V、+5V和Power-OK信号的保持时间。
SSI EPS12V 2.92服务器电源设计指导中对输出电压保持时间的要求是电源在75%的负载下保持时间应该大于18ms，而Power-OK信号的保持时间要求是大于17ms。
掉电保持时间如此受关注，是因为其很大程度上关系到硬件的寿命，Power-OK保持17ms意味着面临17ms以内的掉电情况时电脑能持续运行而不出现关机、重启的状况，而各路电压保持18ms或者更长的时间，是为了在掉电发生时各个硬件能够做出应急处理，比如机械硬盘的磁头归位，SSD的掉电保护。
军威巴顿850W 12V保持时间22.6ms
军威巴顿850W 5V保持时间约37.2ms
军威巴顿850W Power-OK信号保持时间约14.2ms
+12V和+5V都通过测试，但Power-OK信号则离达标的17ms还有2.8ms。
测试当中输出电压保持时间合格而Power-OK信号保持时间偏短，意味着意外掉电对电脑硬件不太可能造成损害，但是电脑可能在短暂掉电过程中发生自动重启，让用户损失尚未保存的数据
◆ 评测总结及购买建议（Conclusion）
电源得分
在我们拆解中可以发现，军威巴顿850W在用料上主要还是使用了英飞凌等大厂的产品，而到了低压DC-DC部分，用料档次略有下降，做工方面属于中等偏上的水平，二次侧没有散热片的设计比较新颖。
在测试过程中我们发现巴顿在低负载的时候风扇是处于停转的状态，直到测试持续了一段时间，电源内部元件发热，散热风扇才开始慢悠悠转起来，这种设计对于提供低负载效率和对控制电源噪音都有帮助，总的来说这个电源的工作噪音比较低。
装机应用项目对于这个电源来说没有挑战性，背部走线和带大功率显卡都不是问题。
在最后的测试部分，巴顿表现出较高的转换效率，电压稳定性表现优秀，但+12V纹波偏大，另外Power-OK一项没有达标。
军威巴顿850W最终评分
购买建议
近几年坚持在中高端产品上使用双管正激+同步整流+DC-DC技术的厂家并不多，其中主要还是因为成本因素，大多数厂家都选择了成本更低的LLC谐振方案，军威巴顿选择了这种可靠性更高的结构值得肯定。
军威巴顿850W的报价是999元人民币，军威表示，这一款电源走的是渠道的路线，所以网商销售并不多，但在市场上已经有销售。巴顿从性能上来说表现优秀，而质保上面，军威提供的是三年质保（第一年包换+后两年保修）的售后服务，目前基于PUQ-G方案的电源也有其他品牌的型号，假如这款电源更容易买到，那它在接下来会更具竞争力。
军威巴顿850W
游客 2012-07-30 05:44
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27#
超能网友小学生 2012-07-26 11:46 | 加入黑名单
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游客 2012-07-25 08:57
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游客 2012-07-24 12:06
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游客 2012-07-24 11:50
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游客 2012-07-24 11:20
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游客 2012-07-24 10:38
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游客 2012-07-24 09:32
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超能网友终极杀人王 2012-07-23 16:59 | 加入黑名单
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游客 2012-07-23 16:46
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游客 2012-07-23 14:25
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超能网友高中生 2012-07-23 13:09 | 加入黑名单
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超能网友学前班 2012-07-23 12:36 | 加入黑名单
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10#
游客 2012-07-23 12:29
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9#
我匿名了 2012-07-23 12:26
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游客 2012-07-23 12:18
该评论年代久远，荒废失修，暂不可见。
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游客 2012-07-23 11:55
该评论年代久远，荒废失修，暂不可见。
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游客 2012-07-23 11:55
该评论年代久远，荒废失修，暂不可见。
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5#
游客 2012-07-23 11:50
该评论年代久远，荒废失修，暂不可见。
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超能网友学前班 2012-07-23 11:35 | 加入黑名单
该评论年代久远，荒废失修，暂不可见。
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游客 2012-07-23 11:15
该评论年代久远，荒废失修，暂不可见。
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游客 2012-07-23 10:37
该评论年代久远，荒废失修，暂不可见。
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