在《十四款120/128GB SSD横向评测》一文中，我们已提到，NAND Flash工艺的进步会让SSD的成本越来越低，这样更容易普及和平民化。

　　目前NAND Flash四大阵营中，英特尔和镁光的主流工艺为25nm，三星为27nm，海力士为26nm，而东芝为24nm，基本是同一级别产品。英特尔和镁光在34nm/25nm这两代上都领先一步，东芝后来居上，24nm至少在数字上要比25nm小，芯片密度更高。

　　英特尔持续投资IMFT工厂，至少让业界对这个产业更有信心，在去年4月，英特尔和镁光发布了世界首个基于20nm工艺制造的64Gb（8GB）MLC NAND Flash，拉开了新的制程竞赛，比如三星和东芝先后宣布了各自的21nm和19nm闪存。

20nm制程下的得与失

　　按照英特尔的规划，真正在自家SSD上采用20nm闪存需要等到今年的Q3，毕竟新工艺需要很多时间去完善来提高良品率，目前64M20A（产品型号，表示20nm的64Mb闪存）已经量产，尤其是异步颗粒已经能申请采购了，而同步颗粒也进入QS阶段，本月底可以申请采购。16GB的128M20A才刚刚开始进入QS阶段，不过也会很快可以采购了。

英特尔闪存在各制程下Die的比较（4GB-8GB-8GB-16GB）

　　NAND闪存向20nm过渡，最直接的好处是可实现Die（逻辑单元，也称LUN）尺寸以及成本的逐渐减小，如上图对比那样，34nm制程下甚至生产不出8GB的Die（需要两个Die），如果基于IMFT的25nm工艺，Die大小为167平方毫米，而如果改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到118平方毫米，面积缩减了30%，芯片产量则可以提高40%，成本大大降低。

　　在成本降低的同时，负面的影响也很明显，对于NAND Flash，越先进制程技术生产的晶片，因为其物理特性，在相同的空间要针对更多单元做充放电的动作，完成数据读写的延时就会越久，换个方式讲，就是性能会出现下降。具体的数据如L74（64M25）其tProg=1200μs / tR=75μs，L84A（64M20A）的tR=100μs，L84B（64M20B）的延时继续增加，其tProg=1500μs / tR=150μs。

　　同时，新制程下在数据处理时的错误率也比较高，需要提供更好的错误校正能力。从目前的资料看，20nm制程的L84颗粒Page会有8KB（L84A）和16KB（L84B/L84C）两种，L85则都是16KB Page，由于密度的上升，每KB需要ECC数据也在增加，比如说25nm时，每1KB需要24b的ECC，当制程进步到20nm后，每1KB需要40b的ECC。

　　或许在新的工艺下，SandForce主控的RAISE冗余技术就更能发挥作用。

　　然而下面这个问题更能被消费者关注，那就是寿命。我们记得当制程从34nm进化到25nm时，闪存的P/E（program/erase）从5000次下降到了3000次，这是一个相当沮丧的消息，当再次演变到20nm时，其可擦写次数还会再降低吗？

　　答案是肯定的，早期的20nm闪存颗粒（F1）其P/E甚至不足1000次，目前量产的F3颗粒也只有1500次的P/E，随着工艺的改进，闪存的耐用性也会增加，英特尔称，20nm的NAND Flash可擦写次数能达到3000次P/E，到了使用ONFI 3.0标准时，甚至可以达到5000次。

SuperSSpeed 20nm MLC 120GB SSD

　　英特尔要等到Q3才发布新制程闪存的SSD，并不代表其它品牌的SSD也要等到这个时间。实际上F3颗粒已经量产了，比如说SuperSSpeed（超级速）已经有了F3闪存的SSD样品，并送测给我们。

超级速20nm闪存的120GB SSD样品

PCB正反面各8颗闪存共16颗

SF2281主控

英特尔20nm 8GB闪存

　　我们重点看看20nm的闪存，其编号为“29F64G08ACMF3”，这里一颗ES颗粒，从这里可以判断出它的容量为64Gb（即8GB），总线位宽为x8，A表示只有一个Die（如果C的话就是2个），M表示MLC，关键的是倒数第二个字母F，表示20nm，目前主流的SSD，如果是用英特尔闪存的话基本上都是25nm，这个字母会是E。最后一个数字表示第几代，F3就是第三代的20nm闪存，已经相当成熟。

性能测试

　　性能测试部分继续延用横评时的平台，测试项目同样，样品固件为5.01。

AS SSD数据，性能很一般

CDM默认测试包成绩

CDM全0数据成绩，SF主控的压缩功能强大

PCMark 7的成绩

FastCopy的成绩

　　另外，在PhotoShop中存取时间分别为86s和71s。

　　单独看这些数据比较孤立，没有参照，把它植入到我们的横评数据中，再看看它的性能位置：

超能指数（具体计算方法参见这里）

　　目前来说，20nm制程闪存的SSD性能非常一般，比同类平均水平大概要低20-30%，主要表现在4K随机读取性能和连续写入性能这两方面。

　　据称，20nm的同步闪存价格会向25nm的异步闪存看齐，也就是价格基本上与OCZ Agility 3相当，好在性能上比Agility 3要强，总的来说性价比也会更好些。

功耗测试

　　SSD功耗测试方法参见这里。

空闲时的功耗

4K随机读取时的功耗

连续写入时的功耗

　　按照我们的惯性思维，更先进的制程会带来更低的功耗，不过在各项功耗测试中，20nm制程闪存的SSD的功耗都处于居中水平，基本在平均线附近。

小结

　　20nm的NAND Flash来的有点快，它会带来更低价的SSD，按照产量比25nm制程提升40%来看，如果良品率得到保证，整个SSD的成本至少会比现在要下降15%，终端市场的价格自然也会一齐下跌，SSD成为PC和NB标配似乎指日可待。

　　新制程闪存性能下降是肯定的，关键是幅度问题，今天的SSD评测得出的性能显然很悲惨，但是随着固件与闪存的进一步改进，性能降低控制在10%左右还是能接受的。至于寿命，在更先进的算法和其它技术的帮助下，似乎也不是普通用户所需要担忧的。

　　新制程闪存的SSD一定会来，明年这个时候应该满山遍野都是20nm闪存（包括三星和东芝新制程的闪存）的SSD在市场上流通，这个步伐不会被改变，那么……你想获得更好性能更好耐用性的SSD，现在就出手吧~~~