关于 HBM4 的消息
台积电准备HBM4基础裸片：将采用N5和N12FFC+工艺制造
上个月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。据了解，台积电将生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。
SK海力士加速推进HBM4E：最早或2026年完成开发
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。
传三星HBM开发采用“双规制”，另建团队专门负责HBM4项目
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。虽然三星是全球最大的存储器制造商，但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士，最近正加大投入，以追赶竞争对手。
SK海力士将选择台积电7nm工艺，用于生产HBM4的基础裸片
近日，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
SK海力士和台积电签署谅解备忘录，在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作
SK海力士宣布，已经与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
三星HBM4计划2025年首次亮相：将有16层堆叠，改用3D封装
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有，根据统计机构的数据，SK海力士占据了50%的市场份额，三星以40%紧随其后，剩下的10%属于美光。
JEDEC或放宽HBM4高度限制，在现有的键合技术中实现16层堆叠
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。从去年下半年起，就不断传出有关下一代HBM4的消息，三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了这方面的投入，以加快研发的进度。
传SK海力士与台积电组成AI芯片联盟，将共同开发HBM4
HBM产品被认为是人工智能（AI）计算的支柱之一，近两年行业发展迅速。在人工智能和高性能计算（HPC）的影响下，推动着存储器厂商的收入增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位。此前有报道称，SK海力士将在2026年大规模生产HBM4，用于下一代人工智能芯片。
SK海力士宣布2026年量产HBM4，为下一代AI GPU做好准备
HBM产品被认为是人工智能（AI）计算的支柱之一，近两年行业发展迅速。在人工智能和高性能计算的影响下，HBM市场带给了存储器厂商新的希望，以推动收入的巨大增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位。
SK海力士明年启动HBM4开发，HBM3E也将进入批量生产阶段
虽然今年存储器市场行情低迷，相当部分厂商损失惨重，不过SK海力士却把握住了服务器市场更换DDR5内存及人工智能（AI）爆发的机会，凭借针对性的产品线和市场策略，拿下了不少市场份额。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士延续了HBM市场的领导地位，甚至出现了“赢家通吃”的局面。
英伟达2024Q1将完成各原厂HBM3e产品验证，HBM4预计2026年推出
几天前，英伟达公布了2024财年第三财季（截至2023年10月29日）的财报，其中数据中心业务再次成为了亮点，收入为145.1亿美元，远远高于去年同期的38亿美元，也高于市场预期的127亿美元，同比增长324%，环比增长38%。Omdia的统计数据显示，英伟达在2023年第三季度大概售出了50万块A100和H100计算卡。
美光分享未来五年的路线图：HBM4、CXL 2.0和LPCAMM2都在其中
近日，美光推出了基于单颗32Gb芯片的128GB DDR5-8000 RDIMM内存模块。据TomsHardware报道，美光还公布了未来五年的产品路线图，分享了对高性能、高容量存储技术的展望，其中包括了一些过去未曾公开讨论的技术。
三星正在开发HBM4，预计2025年推出
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有，根据统计机构的数据，SK海力士占据了50%的市场份额，三星以40%紧随其后，剩下的10%被美光所占有。
HBM4设计或会有重大变化，内存堆栈将采用2048位接口
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。SK海力士上个月宣布成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。随后美光推出了业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出货的HBM3解决方案提高了50%。
台积电准备HBM4基础裸片：将采用N5和N12FFC+工艺制造
上个月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。据了解，台积电将生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。
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